功能简介： 

　　复合型激光加热浮区晶体生长炉是经激光器加热元件与传统浮区炉复合而成的新型浮区晶体生长炉。具有多方向激光或灯光加热，有利于获得均匀的加热温度。根据需求可以更换加热光源。利用激光加热可以高精度地控制熔化区域，获得灯光加热无法获得的高质量单晶。利用灯光加热，有利于生长对半导体激光光波的吸收率低的氧化物晶体。利用近10个大气压的保护气氛，有利于控制晶体生长过程的蒸发，避免晶体成分偏差。适用于高质量无机化合物单晶的生长。是目前国际上为数不多，在国内自行研制的第一台复合型激光区域晶体生长装置。 

　　仪器型号与工作条件： 

　　设备厂商:中国科学院上海硅酸盐研究所，型号:待定。 

　　加热方式（1）： 4方向卤素灯聚焦加热（1000WX4） 

　　方式（2）： 7方向半导体激光加热（130WX7） 

　　最高加热温度： 2200度 

　　晶体生长速度： 0.01-300mm/hr 

　　晶体生长时试样棒熔化最大尺寸：直径6mm 

　　晶体生长时试样棒移动最大长度：120mm 

　　晶体生长气氛：空气、氧气及保护气氛氮气加压（0.95 MPa） 

　　最高气压：（0.95 MPa） 

　　真空度：（5×10^-5Torr） 

　　存放地点与联系人： 

　　设备安放地址：长宁园区4楼5F室。 

　　联系人：汪超越，021-52411708。 

　　仪器图片：