功能简介： 

　　该设备可以用于过渡金属硼化物、碳化物、氮化物陶瓷的多层梯度陶瓷薄膜的研制。 

　　仪器型号与工作条件： 

　　设备厂商:沈阳腾鳌真空技术有限公司；型号: 磁控溅射2英寸靶；磁控靶当共溅射时，靶与样品间的距离为90-110mm，当直流溅射镀制多层膜时，靶与样品间的距离为40-80mm；配有直流脉冲负偏压电源一台，样品可加0到负500V的负偏压。样品台的转速为0-20r/min。 

　　存放地点与联系人： 

　　设备安放地址：嘉定园区A楼204室。 

　　联系人：王新刚，021-69906219。 

　　仪器图片：