功能简介：

　　该设备可以用于过渡金属硼化物、碳化物、氮化物陶瓷的多层梯度陶瓷薄膜的研制。 2英寸靶；磁控靶当共溅射时，靶与样品间的距离为90-110mm，当直流溅射镀制多层膜时，靶与样品间的距离为40-80mm；配有直流脉冲负偏压电源一台，样品可加0到负500V的负偏压。样品台的转速为0-20r/min。

　　仪器型号与工作条件：

　　设备厂商:中国，沈阳腾鳌真空技术有限公司

　　型号: 磁控溅射

　　工作条件：

　　（1）靶材和气体需要自备

　　（2）按照管理规定完成预约申请资料的填写和审核

　　（3）需要在管理员的监管下自行操作

　　存放地点与联系人：

　　设备安放地址：嘉定园区A楼204室

　　联系人：高任，021-69906218 

　　  

　　仪器图片：