王有伟,博士,助理研究员
集成计算材料研究中心
工作电话 021-69163650
电子邮件 ywwang@mail.sic.ac.cn
教育经历:
2006-2010,南京大学匡亚明学院,匡亚明学院理科强化班物理专业,学士学位
2010-2015,中国科学院上海硅酸盐研究所,材料物理与化学专业,博士学位
工作经历:
2015-至今,中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,助理研究员
科研工作简介:
1.以赝氢原子钝化的Cd33Se33量子点作为判定标准,采用无机卤素原子(氯或碘原子)取代量子点表面具有代表性的阳离子位的赝氢原子,研究无机卤素原子钝化对量子点电子结构的影响。指明了卤素钝化剂在钝化量子点表面时的吸附点位以及不同配位数卤素钝化剂对带边电子结构的修正作用,提供了量子点钝化剂的选择依据。
2. 通过对纤锌矿CdSe2/CdTe2核壳纳米线结构电子结构的计算,从理论上证明了纳米线结构形状对带边激子复合几率的调控作用,为纳米线结构太阳能电池的研究提供了新的设计策略和研究方向。
3. 基于形变势理论,利用第一性原理计算了有机-无机杂化材料CH3NH3PbI3体系中带边载流子的迁移率,理论预测电子和空穴迁移率分别达到(7 ~ 30) × 103和(1.5 ~ 5.5) × 103 cm2·V-1·s-1的范围。
|
|
Orthorhombic
|
Tetragonal
|
Pseudo-cubic
|
|
|
<001>
|
<100>
|
<001>
|
<100>
|
<001>
|
|
E1c (eV)
|
?4.89
|
?1.49
|
?4.40
|
?1.48
|
?4.41
|
|
E1v (eV)
|
?6.74
|
?4.05
|
?6.41
|
?3.26
|
?7.77
|
|
cii (kBar)
|
443
|
267
|
423
|
233
|
396
|
|
me (m0)
|
0.18
|
0.26
|
0.21
|
0.24
|
0.11
|
|
mh (m0)
|
0.27
|
0.30
|
0.28
|
0.31
|
0.14
|
|
μe (103cm2/V·s)
|
8.30
|
21.6
|
6.70
|
23.4
|
31.5
|
|
μh (103cm2/V·s)
|
1.60
|
2.00
|
1.50
|
2.50
|
5.50
|
科研成果:
1. Youwei Wang, Wujie Qiu, Erhong Song, Feng Gu, Zhihui Zheng, Xiaolin Zhao, Yingqin Zhao, Jianjun Liu, Wenqing Zhang. “Adsorption-energy-based activity descriptors for electrocatalysts in energy storage applications”. National Science Review, doi: 10.1093/nsr/nwx119 (IF: 8.84)
2. Youwei Wang, Yubo Zhang, Haiming Zhu, Jianjun Liu, Tianquan Lian, Wenqing Zhang. “Geometry strategy for engineering the recombination possibility of excitons in nanowires”. Nanoscale, 2016, 8: 7318 (IF: 7.76)
3. Youwei Wang, Wenqing Zhang, Lidong Chen, Siqi Shi, Jianjun Liu. “Quantitative description on structure–property relationships of Li-ion battery materials for high-throughput computations”. Science and Technology of advanced Materials. 2017, 18: 134–146 (IF: 3.433)
4. Youwei Wang, Yubo Zhang, Peihong Zhang, Wenqing Zhang. “High intrinsic carrier mobility and photon absorption in the perovskite CH3NH3PbI3”. Physical Chemistry Chemical Physics.2015, 17: 11516-11520 (IF: 4.449)
5. Youwei Wang, Yubo Zhang, Wenqing Zhang. “First-principles study of the halide-passivation effects on the electronic structures of CdSe quantum dots”. RSC Advances. 2014, 4:19302-19309 (IF: 3.289)
详细介绍:http://www.skl.sic.cas.cn/yjly/jszx/